Metalizacja

Metalizacją w technologii przyrządów półprzewodnikowych nazywamy system kontaktów oraz cienkowarstwowych połączeń między poszczególnymi elementami lub obszarami układu scalonego. Metalizacja jest wytwarzana w następujących kolejnych operacjach technologicznych: czyszczenie powierzchni płytek krzemowych po wytrawieniu otworów kontaktowych do poszczególnych elementów czynnych i biernych przyrządów półprzewodnikowych, osadzanie próżniowe cienkich warstw metalicznych na całej powierzchni płytek krzemowych, fotolitografia i wytrawienie odpowiedniego wzoru metalizacji, wtapianie metalizacji i termiczne formowanie kontaktów metal-krzem. Metalizacja stosowana obecnie w technologii krzemowych elementów dyskretnych i układów scalonych powinna charakteryzować się: możliwością wytwarzania metalicznych warstw dostępnymi, dobrze opanowanymi i ekonomicznie efektywnymi technikami osadzania próżniowego, małą rezystywnością cienkich warstw, dobrą adhezją do krzemu i warstw dielektrycznych. łatwością i selektywnością trawienia względem krzemu i szkliw krzemowych, dobrą jakością pokrycia schodków tlenkowych w okolicy otworów kontaktowych i innych nierówności powierzchni przyrządu półprzewodnikowego, małą rezystywnością i dużą niezawodnością kontaktu do krzemu typu p i n+, duża czystością i brakiem oddziaływania na właściwości układu Si—SiO2,

Przeczytaj także: Omiatanie elektryczne

W przypadku omiatania elektrycznego, częstotliwość fi na ogół ma wartość w granicach od kilkunastu do kilkuset herców, a f2 od kilkuset do kilku tysięcy herców. Zaletą tej formy omiatania jest szybkie osiągnięcie równomiernej implantacji . Wadami tej formy omiatania są duże wymagania co do próżni , długa droga wiązki od płyt odchylających do komory z płytkami i wreszcie niemożliwość omiatania wiązką zbyt dużych powierzchni, co ma znaczenie w implantatorach o dużych prądach. W tym przypadku również efekt wzajemnego elektrostatycznego odpychania jonów przemawia przeciwko omiataniu elektrycznemu. Przy tym typie omiatania zmiana kąta padania na płytkę wywołuje dwa efekty: jeżeli zmiana ta jest zbyt duża, to może wystąpić zjawisko kanałowania i przestrzenna niejednorodność domieszkowania, występuje również zmiana gęstości jonów padających na płytkę, a zatem dawki otrzymanej przez jednostkę powierzchni. Aby zapewnić jednorodność przestrzenną implantowanej domieszki, zmiany kąta padania wiązki nie mogą być większe niż 1 … 2°. W celu uzyskania 1% jednorodności dawki dla płytek o średnicy 75 mm odległość od płyt odchylających do płytek nie może być mniejsza niż 70 cm , Omiatanie elektryczne wymaga wysokonapięciowych generatorów impulsów piłokształtnych o dużej liniowości wynoszącej około 1%.

Tags: